[发明专利]半导体装置的量测方法有效
申请号: | 201710914496.7 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN109216221B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 谢鸿志;吴锴;陈彦良;陈开雄;郑博中;柯志明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种使用具有单极的孔隙进行衍射式迭对测量的方法,包括使用第一孔隙板测量组合光栅的X轴衍射。在一些实施例中,第一孔隙板具有第一对辐射透射区域,且第一对辐射透射区域沿着第一直径轴线设置并且被设置在对准第一孔隙板的中心的光轴的相对侧上。在一些实施例中,与第一孔隙板互补的第二孔隙板被用于测量组合光栅的Y轴衍射。在一种实施例中,第二孔隙板具有沿着第二直径轴线并且在光轴的相对侧上设置的第二对辐射透射区域。在一些情况下,第二直径轴线基本上垂直于第一直径轴线。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的量测方法,包括:使用一第一孔隙板量测一组合光栅的X轴衍射,其中该第一孔隙板具备一第一对辐射透射区域,且该第一对辐射透射区域沿着一第一直径轴线设置并且被设置在对准该第一孔隙板的中心的一光轴的相对侧上;以及使用与该第一孔隙板互补的一第二孔隙板测量该组合光栅的Y轴衍射,其中该第二孔隙板具备一第二对辐射透射区域,且该第二对辐射透射区域沿着一第二直径轴线设置并且被设置在该光轴的相对侧上,其中该第二直径轴线基本上垂直于该第一直径轴线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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