[发明专利]半导体装置的量测方法有效

专利信息
申请号: 201710914496.7 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN109216221B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 谢鸿志;吴锴;陈彦良;陈开雄;郑博中;柯志明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;王芝艳
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种使用具有单极的孔隙进行衍射式迭对测量的方法,包括使用第一孔隙板测量组合光栅的X轴衍射。在一些实施例中,第一孔隙板具有第一对辐射透射区域,且第一对辐射透射区域沿着第一直径轴线设置并且被设置在对准第一孔隙板的中心的光轴的相对侧上。在一些实施例中,与第一孔隙板互补的第二孔隙板被用于测量组合光栅的Y轴衍射。在一种实施例中,第二孔隙板具有沿着第二直径轴线并且在光轴的相对侧上设置的第二对辐射透射区域。在一些情况下,第二直径轴线基本上垂直于第一直径轴线。
搜索关键词: 半导体 装置 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的量测方法,包括:使用一第一孔隙板量测一组合光栅的X轴衍射,其中该第一孔隙板具备一第一对辐射透射区域,且该第一对辐射透射区域沿着一第一直径轴线设置并且被设置在对准该第一孔隙板的中心的一光轴的相对侧上;以及使用与该第一孔隙板互补的一第二孔隙板测量该组合光栅的Y轴衍射,其中该第二孔隙板具备一第二对辐射透射区域,且该第二对辐射透射区域沿着一第二直径轴线设置并且被设置在该光轴的相对侧上,其中该第二直径轴线基本上垂直于该第一直径轴线。
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