[发明专利]半导体装置的量测方法

权利要求书

1.一种半导体装置的量测方法，包括：

使用一第一孔隙板量测一组合光栅的X轴衍射，其中所述第一孔隙板具备一第一对辐射透射区域，且所述第一对辐射透射区域沿着一第一直径轴线设置并且被设置在对准所述第一孔隙板的中心的一光轴的相对侧上；以及

使用与所述第一孔隙板互补的一第二孔隙板测量所述组合光栅的Y轴衍射，其中所述第二孔隙板具备一第二对辐射透射区域，且所述第二对辐射透射区域沿着一第二直径轴线设置并且被设置在所述光轴的相对侧上，其中所述第二直径轴线垂直于所述第一直径轴线。

2.如权利要求1的半导体装置的量测方法，还包括：

基于所述组合光栅的被量测到的所述X轴衍射和被测量到的所述Y轴衍射，判定所述组合光栅的一覆盖误差。

3.如权利要求1的半导体装置的量测方法，其中所述组合光栅包括一线型光栅或一区段型光栅。

4.如权利要求3的半导体装置的量测方法，其中所述组合光栅包括所述区段型光栅，其中一区段临界尺寸为330nm，其中沿着Y轴的一区段间距为500nm，且沿着X轴的一主间距为600nm。

5.如权利要求1的半导体装置的量测方法，还包括：

在测量所述组合光栅的所述Y轴衍射之后，使用与所述第一孔隙板和所述第二孔隙板互补的一第三孔隙板同时测量所述组合光栅的一组合X轴衍射和Y轴衍射，其中所述第三孔隙板具有一第三对辐射透射区域，且所述第三对辐射透射区域沿着一第三直径轴线设置以及设置在所述光轴的相对侧上，其中所述第三直径轴线被定向以与所述第一直径轴线和所述第二直径轴线的每一者具有45度的角度偏移。

6.如权利要求5的半导体装置的量测方法，还包括：

基于所述组合光栅的被测量的所述X轴衍射、被测量的所述Y轴衍射以及被测量的所述组合X轴衍射和Y轴衍射，判定所述组合光栅的一覆盖误差。

7.如权利要求1的半导体装置的量测方法，其中所述组合光栅的被测量到的所述X轴衍射包括一+1级衍射信号和一-1级衍射信号，其中所述+1级衍射信号和所述-1级衍射信号是由所述第一对辐射透射区域所提供。

8.如权利要求1的半导体装置的量测方法，其中所述组合光栅的被测量到的所述Y轴衍射包括一+1级衍射信号和一-1级衍射信号，其中所述+1级衍射信号和所述-1级衍射信号是由所述第二对辐射透射区域所提供。

9.如权利要求5的半导体装置的量测方法，其中所述组合光栅的被测量到的所述组合X轴衍射和Y轴衍射包括对应于一X轴方向元件和一Y轴方向元件的每一者的一+1级衍射信号，以及对应于所述X轴方向元件和所述Y轴方向元件的每一者的一-1级衍射信号，其中所述+1级衍射信号和所述-1级衍射信号是由所述第三对辐射透射区域所提供。

10.一种量测操作方法，包括：

提供一计量装置；

将一第一孔隙板耦接至所述计量装置，其中所述第一孔隙板具有一第一对辐射透射区域，且所述第一对辐射透射区域沿着一第一直径轴线设置并且被设置在一光轴的相对侧上；

执行一第一衍射测量以在所述计量装置的一感测器上形成一第一衍射图案，其中所述第一衍射图案对应于一组合光栅的一X轴方向元件；

将一第二孔隙板耦接至所述计量装置，其中所述第二孔隙板具有一第二对辐射透射区域，且所述第二对辐射透射区域沿着一第二直径轴线设置并且被设置在一光轴的相对侧上，其中所述第二直径轴线垂直于所述第一直径轴线；以及

执行一第二衍射测量以在所述计量装置的所述感测器上形成一第二衍射图案，其中所述第二衍射图案对应于所述组合光栅的一Y轴方向元件。

11.如权利要求10所述的量测操作方法，还包括：

提供所述第一孔隙板和所述第二孔隙板，其中所述第一孔隙板和所述第二孔隙板包括金属和金属合金中的至少一种。