[发明专利]电容器阵列及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种电容器阵列及其形成方法、半导体器件。通过在第一牺牲层的位于器件区外围的区域中嵌入一保护层，从而可有效阻挡刻蚀剂在提前刻蚀第一牺牲层中位于外围区的部分时进一步从外围区横向扩散至器件区中，进而避免第一牺牲层中位于器件区中的部分被提前去除，防止第一支撑材料层中位于器件区的部分出现片状剥离或脱落的问题，如此一来，即可确保所形成的第一支撑层的完整性，并使所形成第一支撑层中延伸至器件区边界的部分也具备较好的形貌。

主权项

一种电容器阵列的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上具有一用于形成电容器的器件区和一位于所述器件区外围的外围区，在所述衬底上形成有一第一牺牲层和一第一支撑材料层；嵌入一保护层于所述第一牺牲层对应所述外围区沿着所述器件区的区域中，所述保护层分隔所述第一牺牲层为一在所述外围区上的外围部和一在所述器件区上的内围部；形成一第二牺牲层在所述第一支撑材料层上；形成多个通孔在所述器件区上，所述通孔贯穿所述第二牺牲层、所述第一支撑材料层和所述第一牺牲层；形成一下电极在所述通孔中，所述下电极覆盖所述通孔的底部和侧壁，以构成多个筒状结构；去除所述第二牺牲层，以暴露出所述下电极在所述第一支撑材料层上的表面，在去除所述第二牺牲层的过程中，藉由所述保护层的隔离，所述第一牺牲层的所述内围部为完整地连接所述下电极的多个所述筒状结构；刻蚀所述第一支撑材料层，以形成为一对应遮盖所述器件区的第一支撑层，所述第一支撑层連接所述下电极的多个所述筒状结构，且所述第一支撑层延伸至所述器件区的边界；去除所述第一牺牲层；以及，依次形成一电容介质层和一上电极在所述下电极的内外表面上，由所述上电极、所述电容介质层和所述下电极构成电容。