[发明专利]具有低击穿电压的雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201710897038.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107658351B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | Y.康;H-D.D.刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张金金;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有低击穿电压特性的Si/Ge SACM雪崩光电二极管（APD）包括具有特定厚度和掺杂浓度的各种层的倍增区域和吸收区域。光波导可以引导红外和/或光信号或能量进入吸收区域。产生的光生载流子被扫入i‑Si层和/或倍增区域用于雪崩倍增。APD具有充分小于12V的击穿偏置电压和大于10GHz的操作带宽，并且因此适合用于消费者电子装置、高速通信网络等中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体雪崩光电二极管APD，包括：/nn型掺杂硅的第一区域；/n直接设置在所述第一区域上的第二区域，所述第二区域是本征硅，并且其中所述第二区域的厚度在0.07微米和0.13微米之间；/n直接设置在所述第二区域上的第三区域，所述第三区域是p型掺杂硅；以及/n设置在所述第三区域上的第四区域，其中所述第四区域是本征锗。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
