[发明专利]电子零件的制造装置及电子零件的制造方法有效
| 申请号： | 201710893463.9 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946286B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 伊藤昭彦;加茂克尚;松中繁树;藤田笃史 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。 | ||
| 搜索关键词： | 电子零件 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种电子零件，其在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。
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