[发明专利]一种具有掩埋悬浮结的碳化硅平面栅MOSFET器件元胞结构在审
| 申请号： | 201710857440.2 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107742646A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;倪炜江;张敬伟;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有掩埋悬浮结的碳化硅平面栅MOSFET器件元胞结构，所述元胞结构包括漏极、源极、栅极、衬底、N‑漂移层、P‑well区、p+区以及n+区；所述p‑well区下方的所述N‑漂移层内分布着一层或多层由多个掩埋悬浮P+区构造的均匀分布的离散结构。本申请通过在碳化硅平面栅MOSFET器件元胞的p‑well区底下分布一层掩埋悬浮P+区均匀离散结构，能增强器件的耐压能力，同时对栅极起到屏蔽保护作用；另一方面，也使得元胞的JFET区域设计更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掩埋 悬浮 碳化硅 平面 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种具有掩埋悬浮结的碳化硅平面栅MOSFET器件元胞结构，所述元胞结构包括漏极、源极、栅极、衬底、漂移层、P‑well区、p+层以及n+层；其特征在于，所述p‑well区下方的所述N‑漂移层内分布着一层或多层由多个掩埋悬浮P+区构造的均匀分布的离散结构。
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