[发明专利]图像传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710847771.8 申请日: 2017-09-19
公开(公告)号: CN107564927A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 王欢;李志伟;黄仁徳 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 吴敏
地址: 223302 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种图像传感器及其制作方法,图像传感器包括像素晶圆,像素晶圆包括基底、栅极结构以及介质层,且还包括位于介质层内且通过金属插塞与栅极结构电连接的导电结构,所述导电结构包括至少一层金属层;沿所述基底背面指向正面的方向上,贯穿所述基底以及部分厚度介质层的导电插塞,且所述导电插塞与所述导电结构中的金属层相接触;位于所述像素晶圆基底部分背面的衬垫层,且所述衬垫层与所述导电插塞电连接。本发明降低衬垫层与像素晶圆导电结构之间的连接电阻,从而改善图像传感器的电学性能。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于,包括:像素晶圆,所述像素晶圆包括:基底,所述基底具有正面和与所述正面相对的背面;位于所述基底正面的栅极结构;位于所述基底正面的介质层,且所述介质层覆盖所述栅极结构;位于所述介质层内的金属插塞,所述金属插塞位于所述栅极结构顶部表面且与所述栅极结构电连接;位于所述介质层内且通过所述金属插塞与所述栅极结构电连接的导电结构,所述导电结构包括至少一层金属层;贯穿所述基底以及部分厚度介质层的导电插塞,且所述导电插塞与所述导电结构中的金属层相接触;位于所述像素晶圆基底背面的衬垫层,且所述衬垫层与所述导电插塞电连接。
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