[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710840090.9 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107768427A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 增冈史仁;中村胜光;西井昭人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/16;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。在n－型漂移层(1)的顶面设置有p型正极层(2)。在n－型漂移层(1)的底面设置有n型负极层(3)。在n－型漂移层(1)与n型负极层(3)之间设置有n型缓冲层(4)。n型缓冲层(4)的峰值浓度高于n－型漂移层(1)，低于n型负极层(3)。n－型漂移层(1)与n型缓冲层(4)的连接部分处的载流子浓度的梯度为20～2000cm‑4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：n型漂移层；p型基极层，其设置在所述n型漂移层的顶面；n型发射极层，其局部地设置于所述p型基极层上；沟槽栅极，其以贯穿所述n型发射极层以及所述p型基极层的方式设置；p型集电极层，其设置于所述n型漂移层的底面；以及n型缓冲层，其设置在所述n型漂移层与所述p型集电极层之间，所述n型缓冲层的峰值浓度高于所述n型漂移层，低于所述p型集电极层，所述n型缓冲层的载流子浓度从所述n型漂移层侧朝向所述p型集电极层侧以深度的指数函数增加，所述n型漂移层与所述n型缓冲层的连接部分处的所述n型缓冲层的所述载流子浓度的梯度为20～2000cm‑4。
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