[发明专利]一种共阳极整流半桥芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710833477.1 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107425079B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王成森;王琳;周榕榕;钱清友 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京业腾知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32321 | 代理人： | 郑婷 |
| 地址： | 226000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共阳极整流半桥芯片，包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极；所述P型区由对通隔离扩散和背面扩散所形成，并半包围在N型区的外部形成U型结构；并提供制备上述共阳极整流半桥芯片的制备方法，其钝化工艺可靠简单，共阳极整流半桥芯片能适应小电流整流的应用，可直接贴装在铝基板上，免除塑料封装，能有效节约资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 整流 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种共阳极整流半桥芯片，其特征在于：包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极；所述P型区由对通隔离扩散和背面扩散所形成，并半包围在N型区的外部形成U型结构。
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