[发明专利]一种共阳极整流半桥芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种共阳极整流半桥芯片，其特征在于：包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极，所述凸球状电极包括两个阴极凸球状电极和一个阳极凸球状电极；所述P型区由对通隔离扩散和背面扩散所形成，并半包围在N型区的外部形成U型结构。

2.根据权利要求1所述的共阳极整流半桥芯片，其特征在于：所述凸球状电极的球径为10～90μm。

3.一种如权利要求1所述的共阳极整流半桥芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：腐蚀，将硅片放置在硅腐蚀液中进行腐蚀；

步骤2：氧化，将经过腐蚀的硅片进行高温氧化，直至硅片的两面形成SiO₂氧化膜；

步骤3：双面光刻，使用第一掩膜版在已经氧化过的硅片上进行双面对通扩散套刻，第一掩膜版包括第一遮光区和第一透光区，将与第一遮光区对应的硅片上的SiO₂氧化膜刻蚀干净，并保留与第一透光区对应的硅片上的SiO₂氧化膜；

步骤4：对通扩散，从SiO₂氧化膜刻蚀干净区域的两面同时进行P型杂质的高温扩散；

步骤5：背面扩散P型杂质，去除对通扩散硅片的背面的SiO₂氧化膜，清洗硅片，之后再进行硼扩散处理；此时硅片的U型的PN结结面形成；

步骤6：N+区光刻，使用第二掩膜版对硅片上设有N型区的一面进行光刻，第二掩膜版包括第二遮光区和第二透光区，将与第二遮光区对应的硅片上的SiO₂氧化膜刻蚀干净，并保留与第二透光区对应的硅片上的SiO₂氧化膜；

步骤7：N+扩散，将步骤6的硅片清洗干净，再进行磷扩散，得到N型区扩散上的N+引线孔；

步骤8：第一钝化膜层，磷扩散后的硅片上表面的SiO₂氧化膜被刻蚀干净，清洗硅片后，再进行LPCVD处理，此时硅片的第一钝化膜层形成；

步骤9：第二钝化膜层，将步骤8的硅片再进行玻璃钝化处理，此时硅片的第二钝化膜层形成；

步骤10：光刻引线窗口，使用第三掩膜版在硅片的N型区面进行光刻，第三掩膜版包括第三遮光区和第三透光区，将与第三遮光区对应的硅片上的两层钝化膜层刻蚀干净，即刻出P型区和N+区的引线孔窗口；并保留与第三透光区对应的硅片上的两层钝化膜层，同时把硅片背面的两层钝化膜层腐蚀干净；

步骤11：引线孔镀镍，采用化学镀镍的方法将引线孔以及硅片背面上分别沉积一层金属镍，备用；

步骤12：漏印焊料，使用丝网漏印版对硅片的正面进行丝网漏印，在引线孔上漏印低温材料；

步骤13：烧熔焊料，将漏印完的焊料进行烘干，再装入烧结炉中进行焊料烧熔；直至硅片正面的焊料在引线孔部位形成凸球状电极。