[发明专利]半导体封装的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710822001.8 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107887283B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 金永奭 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/552;H01L23/31
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供半导体封装的制造方法,实现由密封树脂层进行了密封的半导体芯片的上表面和侧面上的屏蔽层的膜厚的均匀化。具有:接合工序(S1),将多个半导体芯片胶接在布线基板上的由交叉的间隔道划分的多个区域中;密封基板制作工序(S2),向胶接有该多个半导体芯片的该布线基板的正面侧提供密封剂而统一进行密封,制作密封基板;单片化工序(S3),沿着该密封基板上的与间隔道对应的区域进行切削而进行单片化,以使密封芯片具有上表面和比该上表面大的下表面并且具有从该上表面朝向该下表面倾斜的侧面;以及屏蔽层形成工序(S4),在该多个密封芯片的该上表面和该侧面上形成导电性屏蔽层。
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装的制造方法,制造由密封剂进行了密封的半导体封装,其中,该半导体封装的制造方法具有如下的工序:接合工序,将多个半导体芯片胶接在布线基板上的由交叉的多条分割预定线划分的多个区域中;密封基板制作工序,向胶接有该多个半导体芯片的该布线基板的正面侧提供密封剂而统一进行密封,制作密封基板;单片化工序,沿着与该布线基板上的该分割预定线对应的区域对该密封基板进行切削而进行单片化,以使该密封的半导体芯片具有上表面和比该上表面大的下表面,并且具有从该上表面朝向该下表面倾斜的侧壁;以及屏蔽层形成工序,在该多个密封的半导体芯片的该上表面和该侧壁上形成导电性屏蔽层。
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