[发明专利]半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法。半导体装置包括绝缘基板；多晶硅层；第一栅极绝缘层；第一金属层；氧化物半导体层；第二栅极绝缘层；第二金属层；第一层间绝缘层；第三金属层；第一薄膜晶体管，其将多晶硅层用作沟道并具有源极、漏极及栅极；以及第二薄膜晶体管，其将氧化物半导体层用作沟道并具有源极、漏极及栅极，第一薄膜晶体管的栅极由第一金属层构成，第二薄膜晶体管的栅极由第二金属层构成，第一薄膜晶体管的源极和漏极以及第二薄膜晶体管的源极和漏极由第三金属层构成，第一薄膜晶体管的源极或漏极和第二薄膜晶体管的栅极相互电连接。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘基板；多晶硅层，所述多晶硅层形成在所述绝缘基板上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层形成在所述多晶硅层上；第一金属层，所述第一金属层形成在所述第一栅极绝缘层上；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层形成在所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层形成在所述氧化物半导体层上；第二金属层，所述第二金属层形成在所述第二栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层形成在所述第二金属层上；第三金属层，所述第三金属层形成在所述第一层间绝缘层上；第一顶栅平面型薄膜晶体管，所述第一顶栅平面型薄膜晶体管将所述多晶硅层用作沟道并具有源极、漏极及栅极；以及第二顶栅平面自对准型薄膜晶体管，所述第二顶栅平面自对准型薄膜晶体管将所述氧化物半导体层用作沟道并具有源极、漏极及栅极，其中，所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的栅极由所述第一金属层构成，所述第二顶栅平面自对准型薄膜晶体管的栅极由所述第二金属层构成，所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第二顶栅平面自对准型薄膜晶体管的源极和漏极由所述第三金属层构成，以及所述第一顶栅平面型薄膜晶体管的源极或漏极和所述第二顶栅平面自对准型薄膜晶体管的栅极相互电连接。