[发明专利]一种立方碳化硅涂层的制备方法

摘要

本发明公开了一种立方碳化硅涂层的制备方法，包括如下步骤：(1)将石墨基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空，使压强降10Pa以下；(2)通入H₂作为稀释气体；(3)打开激光照射石墨基板表面，通过调节激光功率，使石墨快速升温；(4)通入含有前驱体六甲基二硅烷(HMDS)的载流气并调节反应室真空度至2500～4500Pa，保持10～30分钟；(5)关闭激光、HMDS及稀释气，抽真空并自然冷却至室温。本发明沉积所得薄膜为立方碳化硅(β‑SiC)薄膜，且不同的沉积条件下，可形成不同微观形貌的β‑SiC薄膜，可实现石墨材料表面润湿性的可控调节，适合推广应用。

主权项

1.一种立方碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将石墨基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空使压强降到1~10 Pa；2）通入稀释气；3）打开激光照射石墨基板表面，调节激光的波长为1050 nm，调节激光功率使石墨基板升温至沉积温度并保温；4）打开含HMDS的载流气；5）调节反应室内压强至沉积压强，保持进行沉积反应；6）关闭激光、含有HMDS的载流气和稀释气体，抽真空至1~10 Pa，并自然冷却至室温，即在石墨基板上沉积得立方碳化硅涂层；所述稀释气为H2；调节H2流量为2000 sccm，HMDS的流量为5 sccm，沉积温度为1250 oC，反应室内压强为4500 Pa，时间为10min时，得六方柱形晶粒镶嵌而成的立方碳化硅涂层；调节H2的流量为3000 sccm，HMDS的流量为1 sccm，沉积温度为1450 oC，反应室内压强为2500 Pa，时间为30min时，得具有SiC晶须的立方碳化硅涂层。