[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710795972.8 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107611174B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李尚俊 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，氮化镓基半导体器件包括基板，于所述基板上生长的缓冲层，于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层，于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层，于所述通道层上生长的扩散停止层，于所述扩散停止层上生长的P型掺杂氮化镓帽层。所述扩散停止层用来阻止所述P型掺杂氮化镓帽层中的掺杂物向所述通道层移动，从而保证所述P型掺杂氮化镓帽层中掺杂物的浓度，达到维持氮化镓基半导体器件的增强特性有效。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化镓基半导体器件，其特征在于，包括：基板；于所述基板上生长的缓冲层；于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层；于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层；于所述通道层上生长的AlnGa(1‑n)N层，其中0≤n≤1；于所述AlnGa(1‑n)N层上生长的扩散停止层；于所述扩散停止层上生长的P型掺杂氮化镓帽层，所述扩散停止层用来阻止所述P型掺杂氮化镓帽层中的掺杂物向所述通道层移动。
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