[发明专利]具有沟道区的半导体器件有效
| 申请号： | 201710780704.9 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN108269849B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 宋升珉;朴雨锡;裴金钟;裴东一;梁正吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有沟道区的半导体器件。一种半导体器件包括：衬底；多个凸出部，所述多个凸出部在所述衬底上彼此平行地延伸；多条纳米线，所述多条纳米线设于所述多个凸出部上并且彼此分开；多个栅电极，所述多个栅电极设于所述衬底上并且围绕所述多条纳米线；多个源/漏区，所述多个源/漏区设于所述多个凸出部上并且位于所述多个栅电极中的每一个栅电极的侧部，所述多个源/漏区与所述多条纳米线接触；以及多个第一空隙，所述多个第一空隙设于所述多个源/漏区与所述多个凸出部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；多个凸出部，所述多个凸出部在所述衬底上彼此平行地延伸；多条纳米线，所述多条纳米线设于所述多个凸出部上并且彼此分开；多个栅电极，所述多个栅电极设于所述衬底上并且围绕所述多条纳米线；多个源/漏区，所述多个源/漏区设于所述多个凸出部上并且位于所述多个栅电极中每一个栅电极的侧部，所述多个源/漏区与所述多条纳米线接触；以及多个第一空隙，所述多个第一空隙设于所述多个源/漏区与所述多个凸出部之间。
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