[发明专利]一种采用连续磁控溅射沉积法制备镀膜盖板的方法在审
| 申请号： | 201710778762.8 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109423607A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李隆玉 | 申请（专利权）人： | 福建省辉锐电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用连续磁控溅射沉积法制备具有双色或多色镀膜盖板的方法，包括如下步骤：首先玻璃基板预处理；然后印刷酸性保护油墨；再对玻璃基板进行清洁处理；接着将清洁后的玻璃基板放入磁控溅射镀膜设备，制备颜色膜层组合1；再对镀膜后的玻璃基板再次进行清洁处理，去除酸性保护油墨并清洗干净；再将清洗干净的玻璃基板再次放入磁控溅射镀膜设备，制备颜色膜层组合2；最后在已镀膜玻璃基板的膜层上覆盖油墨并固化。本发明的制备方法沉积速率快、工作效率高、膜层品质可控，镀膜过程全部在真空环境下，安全无污染，且可以在一个盖板上实现两种或多种颜色效果，并可根据需要呈现出不同图案，大大提高盖板的外观时尚性及多样性。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃基板 盖板 油墨 制备 磁控溅射镀膜设备 磁控溅射沉积 清洁处理 颜色膜层 放入 膜层 清洗 预处理 镀膜玻璃基板 工作效率高 镀膜盖板 镀膜过程 多色镀膜 外观时尚 颜色效果 真空环境 镀膜 可控 双色 沉积 固化 去除 多样性 图案 印刷 清洁 覆盖 安全 | ||
【主权项】：
1.一种采用连续磁控溅射沉积法制备镀膜盖板的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：玻璃基板预处理；在玻璃基板上印刷酸性保护油墨；对印刷酸性保护油墨后的玻璃基板进行清洁处理；将清洗干净带有酸性保护油墨的玻璃基板放入磁控溅射镀膜设备，制备颜色膜层组合1；对镀膜后的玻璃基板再次进行清洁处理，去除酸性保护油墨并清洗干净；将去除酸性保护油墨并清洗干净的玻璃基板再次放入磁控溅射镀膜设备，制备颜色膜层组合2；在已镀膜玻璃基板的膜层上覆盖油墨并固化。
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- 本发明公开了一种利用脉冲激光沉积法制备电学器件用Al掺杂的氧化锌薄膜的制备方法，该方法所用的设备包括石英管、电炉、真空泵、激光脉冲发生器、第一反射镜、第二反射镜以及透镜。激光脉冲发生器发射的激光脉冲束，依次通过第一反射镜、第二反射镜以及透镜，轰击靶材，通过转动透镜，可以控制激光脉冲束的焦点，分别轰击ZnO靶材和Al2O3靶材，并且借助于铝离子在高温下的扩散作用，得到铝掺杂的氧化锌薄膜。由于铝离子的扩散形成的浓度梯度，增加了AZO薄膜的电学性能，其最小导电率约为9×10‑4Ω·cm。并且，本发明可以通过改变激光脉冲束对不同靶材轰击的时间，得到成分和结构不同的AZO薄膜，满足不同电学领域的使用要求。
- 一种基于碳纳米管阵列的新型芯片热界面材料的制备方法-201910226693.9
- 汪小知;张亮;吴永志 - 杭州英希捷科技有限责任公司
- 2019-03-25 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 本发明公开了一种基于碳纳米管阵列的新型芯片热界面材料的制备方法。取一层6‑12微米左右厚度的金属箔，在金属箔两面溅射催化剂层，且在催化剂层和金属箔中间用磁控溅射法溅射一层氧化铝隔离层；然后通入反应气体，在一定温度条件下采用化学气相沉积法使碳纳米管阵列从基地的上下表面同时生长，生长后在碳纳米管表面滴入胶体，采用旋涂法旋涂均匀，制成新型的芯片热界面材料。本发明制备方法制备出的碳纳米管阵列表面干净平滑，与基底结合力强，表面密度高，芯片热界面材料具有高密度高一致性和高导热性等优异性能。
- 一种用于纤维增强镍基复合材料界面纳米多层扩散障涂层的制备方法-201910237822.4
- 黄浩;王敏涓;李虎;黄旭;李臻熙 - 中国航发北京航空材料研究院
- 2019-03-27 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 本发明涉及本发明涉及一种用于纤维增强镍基复合材料界面纳米多层扩散障涂层的制备方法，步骤如下：将对置的Y靶和对置的高熔点金属靶放置在对靶磁控溅射设备中，高熔点金属为熔点在1500℃以上的金属；将带C涂层的SiC纤维缠绕到环形轮上形成溅射基体，使得缠绕后的SiC纤维同时置于对置的Y靶之间和对置的高熔点金属靶之间；由Y靶和高熔点金属靶分别对带C涂层的SiC纤维进行至少一次物理气相沉积，使得Y靶和高熔点金属靶在所述SiC纤维上形成交替的沉积层。本发明可以解决均Y2O3涂层脆性脱落和高界面应力的技术问题，制备出兼具惰性和高韧性的SiC纤维增强镍基复合材料。
- 一种镶嵌结构界面α-氧化铬涂层及其制备方法-201710254049.3
- 邱万奇;甄永辉;王书林;刘仲武;钟喜春;焦东玲 - 华南理工大学
- 2017-04-18 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。
- 透明导电性薄膜-201580001616.3
- 宫本幸大;佐佐和明;待永广宣;上田恵梨;黑瀬爱美;梨木智刚 - 日东电工株式会社
- 2015-05-15 - 2019-06-18 - C23C14/08
- 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
- 一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法-201610417173.2
- 王盼盼;章俞之;张云龙;彭明栋;吴岭南;宋力昕 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2016-06-12 - 2019-06-11 - C23C14/08
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO2薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～165 nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO2薄膜内，得到的掺杂VO2薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见‑近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。
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