[发明专利]一种3D NAND存储器件的平坦化方法

摘要

本申请实施例提供了一种3D NAND存储器件的平坦化方法。该平坦化方法在衬底表面上沉积的第一氧化硅膜的厚度等于3D NAND存储器件的氮化硅和氧化硅交替的堆叠结构的高度。如此，周边电路区和存储堆叠区的高度一致，如此，两者可以通过一道光刻曝光刻蚀工艺进行刻蚀，因此，相较于现有技术，本申请提供的平坦化方法节省了一道光刻曝光刻蚀工艺，降低了成本。此外，该方法能够更容易地实现周边电路区和存储堆叠区的高度一致。另外，在本申请实施例提供的平坦化方法中，在周边电路区刻蚀过程中，存在氮化硅停止层，因而不会造成氧化硅膜刻蚀尖角，因而也就不会在刻蚀后的周边电路区出现一圈凹陷结构的现象。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的平坦化方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有3D NAND存储器件的周边电路；在衬底表面上沉积第一氧化硅膜和氮化硅膜，所述第一氧化硅膜的厚度等于3D NAND存储器件的氮化硅和氧化硅交替的堆叠结构的垂直高度；刻蚀去除位于衬底预设区域上的氮化硅膜和第一氧化硅膜，直至刻蚀到衬底；在所述衬底预设区域上形成氮化硅和氧化硅交替的堆叠结构，并刻蚀所述堆叠结构以形成台阶结构区和存储堆叠区；在所述氮化硅膜、所述台阶结构区以及所述存储堆叠区上方沉积第二氧化硅膜；所述第二氧化硅膜的厚度不小于所述台阶结构区的垂直高度；在周边电路区和所述存储堆叠区同时进行光刻曝光刻蚀工艺，使周边电路区刻蚀停止在所述氮化硅膜，存储堆叠区刻蚀停止在堆叠结构最顶层的氮化硅层；所述周边电路区为所述周边电路上方的区域；采用化学机械研磨工艺平坦化周边电路区、台阶区以及存储堆叠区。