[发明专利]用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料有效
| 申请号： | 201710772400.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799390B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 阿潘·马霍罗瓦拉;伊时塔克·卡里姆;普鲁肖坦·库马尔;尚卡尔·斯娃米纳森;阿德里安·拉瓦伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及用于半导体图案化应用的高干法蚀刻速率材料。本文提供了使用用于负图案化方案的原子层沉积来沉积低密度间隔物的方法和装置。方法包含以下操作中的一个或多个：(1)在沉积前体和氧化等离子体的交替脉冲的每个循环中将衬底暴露于等离子体持续小于约300ms的持续时间；(2)在小于约0.2W/cm |
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| 搜索关键词： | 用于 半导体 图案 应用 高干 蚀刻 速率 材料 | ||
【主权项】：
一种使用负图案化来图案化衬底的方法，所述方法包括：(a)在芯材料上共形地沉积间隔物，所述间隔物通过一个或多个原子层沉积循环沉积，每个原子层沉积循环包括：(i)将所述衬底暴露于沉积前体，以及(ii)将所述衬底暴露于氧化剂并点燃等离子体；以及(b)通过在以比蚀刻所述芯材料的速率快至少六倍的速率蚀刻所述间隔物的条件下选择性地蚀刻所述间隔物来形成用于图案化衬底的掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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