[发明专利]一种用于3DNAND存储器的金属栅层结构及其形成方法

摘要

本申请提供了一种用于3D NANAD存储器的金属栅层结构及其形成方法。通过本申请实施例提供的用于3D NAND存储器的金属栅层结构的形成方法形成的每层金属栅层中，其在台阶面处的厚度大于非台阶面处的厚度，由于垂直金属连线与台阶面处的金属栅层连接，因此，该方法能够使与垂直金属连线连接的金属栅层厚度增加，以此在一次性刻蚀形成垂直金属连线通道时，金属栅层不受到过刻蚀的影响而被刻蚀穿孔，确保相邻的金属栅层有效被隔离。因此，本申请提供的形成方法能够有利于垂直金属连线通道一次刻蚀形成，减少工艺制造成本。

主权项

一种用于3D NAND存储器的金属栅层结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积氧化硅/氮化硅层交替堆叠结构；刻蚀所述氧化硅/氮化硅层交替堆叠结构，以形成氮化硅/氧化硅阶梯结构，其中，刻蚀截止面停留在氮化硅层；在所述氮化硅/氧化硅阶梯结构的台阶面上形成衬垫氮化硅层，使得台阶面处的整个氮化硅层的厚度大于位于非台阶面处的氮化硅层的厚度；去除位于所述氮化硅/氧化硅阶梯结构侧壁上的氮化硅层，直至露出氧化硅层侧壁；在所述氮化硅/氧化硅阶梯结构表面上沉积氧化硅，所述氧化硅填充阶梯间隙，并完全覆盖阶梯结构；去除所述堆叠结构中的氮化硅层和所述衬垫氮化硅层，并填充金属介质，从而形成金属栅层。