[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710755000.6 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107591415B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 卓恩宗 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 王丽
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制造方法,制造方法包括步骤:提供一第一基板;提供第一光罩,在第一基板上设置主动开关;提供第二光罩,在主动开关上设置光刻胶,其中包括依次进行的流程:对主动开关进行第一次湿法蚀刻,对光刻胶进行第一次灰化处理,对主动开关进行第一次干法蚀刻,对主动开关进行第二次湿法蚀刻,对光刻胶进行第二次灰化处理,对主动开关进行第二次干法蚀刻;提供第三光罩,在金属上设置保护层;提供第四光罩,在保护层上设置像素电极层。本发明由于在蚀刻(2W2D:两次湿刻两次干刻)步骤中加入灰化处理的工艺来减少主动开关中非晶硅层和欧姆接触层的边缘长度,从而降低显示面板的漏电流可能造成的不良影响。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括步骤:提供一第一基板;提供第一光罩,在所述第一基板上设置主动开关;提供第二光罩,在所述主动开关上设置光刻胶,其中包括依次进行的流程:a.对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻,b.对所述光刻胶进行第一次灰化处理,c.对所述主动开关进行第一次干法蚀刻,d.对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻,e.对所述光刻胶进行第二次灰化处理,f.对所述主动开关进行第二次干法蚀刻;提供第三光罩,在所述金属上设置保护层;提供第四光罩,在所述保护层上设置像素电极层。
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