[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，制造方法包括步骤：提供一第一基板；提供第一光罩，在第一基板上设置主动开关；提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶，其中包括依次进行的流程：对主动开关进行第一次湿法蚀刻，对光刻胶进行第一次灰化处理，对主动开关进行第一次干法蚀刻，对主动开关进行第二次湿法蚀刻，对光刻胶进行第二次灰化处理，对主动开关进行第二次干法蚀刻；提供第三光罩，在金属上设置保护层；提供第四光罩，在保护层上设置像素电极层。本发明由于在蚀刻(2W2D：两次湿刻两次干刻)步骤中加入灰化处理的工艺来减少主动开关中非晶硅层和欧姆接触层的边缘长度，从而降低显示面板的漏电流可能造成的不良影响。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

现有的显示器一般都基于主动开关进行控制，具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，主要包括液晶显示器、OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)显示器、等离子显示器等、从外观结构来看，既有平面型显示器、也有曲面型显示器。

对于液晶显示器，包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)两大部分，液晶显示器的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

对于OLED显示器，采用机发光二极管自发光来进行显示，具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

QLED显示器结构与OLED技术非常相似，主要区别在于QLED的发光中心由量子点(Quantum dots)物质构成。其结构是两侧电子(Electron)和空穴(Hole)在量子点层中汇聚后形成光子(Exciton)，并且通过光子的重组发光。

然而，随着显示器逐渐往超大尺寸、高驱动频率、高分辨率等方面发展，然而TFT结构常为倒置错排结构，即为底栅电极且与源/漏极分别位于a-Si层两侧，这样该结构器件中因AS tail过长会产生漏电流(leakage current)，既不安全也不节能，同时不利于设备的正常工作。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种降低漏电流的阵列基板的制造方法。

为解决上述问题，本发明的实施例提供的阵列基板的制造方法包括：

一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括步骤：

提供一第一基板；

在所述第一基板上设置主动开关；

在所述主动开关上设置光刻胶；

对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻；

对所述光刻胶进行第一次灰化处理；

对所述主动开关进行第一次干法蚀刻；

对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻；

对所述光刻胶进行第二次灰化处理；

对所述主动开关进行第二次干法蚀刻。

其中，在所述第一基板上设置主动开关的步骤包括：

在所述第一基板上沉积栅极层；

在所述栅极层上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上沉积非晶硅层；

在所述非晶硅层上沉积欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上沉积金属层。