[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：

提供一第一基板；

提供第一光罩，在所述第一基板上设置主动开关；

提供第二光罩，在所述主动开关上设置光刻胶，其中包括依次进行的流程：

a.对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻；

b.对所述光刻胶进行第一次灰化处理，降低光刻胶层厚度以露出沟道区域的源漏极层；

c.对所述主动开关进行第一次干法蚀刻；

d.对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻；

e.对所述光刻胶进行第二次灰化处理；

f.对所述主动开关进行第二次干法蚀刻；

提供第三光罩，在所述主动开关的金属层上设置保护层；

提供第四光罩，在所述保护层上设置像素电极层；

在所述第一基板上设置所述主动开关的步骤包括：

在所述第一基板上沉积栅极层；

在所述栅极层上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上沉积非晶硅层；

在所述非晶硅层上沉积欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上沉积金属层。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层、所述非晶硅层和所述欧姆接触层构成一组合层；

所述光刻胶设置在所述保护层上，所述光刻胶的边沿与所述金属层的同侧边沿平齐；

对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻的步骤后，所述金属层和所述保护层的位置范围缩小至第一区域值；

对所述光刻胶进行第一次灰化处理的步骤后，所述光刻胶的位置范围缩小至第二区域值；

对所述主动开关进行第一次干法蚀刻的步骤后，所述组合层的位置范围缩小至第三区域值：所述组合层的边沿与所述金属层的同侧边沿平齐；

对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻的步骤后，所述金属层和所述保护层的位置范围缩小至第四区域值。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属层和所述保护层的位置范围缩小至第一区域值：所述组合层的边沿比所述金属层的同侧边沿长0.165微米，所述金属层的边沿比所述保护层的同侧边沿长0.404微米。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属层和所述保护层的位置范围缩小至第四区域值：所述组合层的边沿与所述金属层的同侧边沿距离预设长度，所述金属层的边沿比所述保护层的同侧边沿长0.404微米。

5.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻的步骤、对所述主动开关进行第一次干法蚀刻的步骤、对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻的步骤后，所述金属层为梯形，所述梯形包括靠近所述欧姆接触层的第一底边和远离所述欧姆接触层的第二底边，所述第一底边的长度大于所述第二底边的长度，所述第一底边的边沿比所述第二底边的同侧边沿长0.404微米。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述绝缘层、所述非晶硅层和所述欧姆接触层构成一组合层，所述第一保护层设置在所述组合层和所述金属层之间，所述第二保护层设置在所述金属层上。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属层采用铝元素，所述保护层采用钼元素。