[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

摘要

一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。