[发明专利]光电二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明提出了一种光电二极管芯片及其制作方法，该光电二极管芯片包括外延层；该外延层包括衬底层、缓冲层、吸收层及顶层，衬底层位于底部，缓冲层、吸收层及顶层依次沉积在衬底层上；在顶层之上沉积有钝化膜，在钝化膜上蚀刻有扩散区，使得扩散区扩散至吸收层和顶层内；其中，在外延层的底部，自上而下蚀刻有光反射区，光反射区设置于衬底层和吸收层之间，使得自衬底层射入的光线照射在光反射区后，反射到扩散区。该光电二极管芯片能够从侧面入光，光线经过反射区反射到扩散区，解决了现有正面入光的光电二极管芯片不能很好的与侧面出光的激光器对接耦合、扩散区大小受到限制以及贴装工艺控制难度大等问题。

主权项

一种光电二极管芯片，其特征在于，包括：外延层，包括衬底层、缓冲层、吸收层及顶层，所述衬底层位于底部，所述缓冲层、所述吸收层及所述顶层依次沉积在衬底层上；在所述顶层之上沉积有钝化膜，在所述钝化膜上蚀刻有扩散区，使得所述扩散区扩散至所述吸收层和所述顶层内；其中，在所述外延层的底部，自上而下蚀刻有光反射区，所述光反射区设置于所述衬底层和所述吸收层之间，使得自所述衬底层射入的光线照射在所述光反射区后，反射到所述扩散区。