[发明专利]形成氮化物半导体层的工艺

摘要

本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设置为比衬底的相对于源气体的流动的下游侧的温度高。

主权项

一种形成半导体器件的工艺，所述半导体器件主要由通过供应有源气体的金属有机化学气相沉积而生长的氮化物半导体材料制成，所述金属有机化学气相沉积提供具有中心、中部和周边的圆形的基座，所述中心、中部和周边各自伴有用于调节所述基座的温度分布的加热器，所述工艺包括以下步骤：在所述基座上设置衬底，所述基座具有位于中心的上游侧以及位于周边的下游侧；在所述衬底上生长第一半导体层，所述第一半导体层由氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟铝(InAlN)和氮化铟铝镓(InAlGaN)中的至少一种制成；以及在所述第一半导体层上生长第二半导体层，所述第二半导体层由不含铝的氮化物半导体材料制成，其中所述第一半导体层在这样的温度梯度条件下生长，在其中所述基座的中心的温度设置得比所述基座的中部和周边的温度高，并且其中所述第二半导体层在所述基座的这样的温度梯度条件下生长，在其中针对所述第二半导体层的温度梯度条件小于针对所述第一半导体层的温度梯度条件。