[发明专利]低静止电流半导体装置在审
| 申请号： | 201710741364.9 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107888167A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;陈居富;蔡俊琳;陈昆龙;黄敬源;林明正;刘赐斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/03 | 分类号： | H03K3/03;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例是关于一种低静止电流半导体装置。一种半导体装置包含功率晶体管及驱动电路。所述驱动电路耦合到所述功率晶体管且经配置以驱动所述功率晶体管且包含第一级及第二级。所述第二级耦合于所述第一级与所述功率晶体管之间。所述第一级及所述第二级的各者包含一对增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。如此的建构降低所述驱动电路的静止电流。 | ||
| 搜索关键词： | 静止 电流 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：功率晶体管；及驱动电路，其耦合到所述功率晶体管且经配置以驱动所述功率晶体管，且包含第一级及耦合于所述第一级与所述功率晶体管之间的第二级，其中所述第一级及所述第二级的各者包含第一及第二增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。
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