[发明专利]一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容在审
| 申请号： | 201710733270.7 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611117A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杜在凯;周文斌;张磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生成PIP电容的工艺方法及PIP电容，包括沉积第一层多晶硅，通过光阻定义并蚀刻所述第一层多晶硅形成第一多晶硅层，沉积第二层多晶硅，通过光阻定义并蚀刻所述第二层多晶硅形成若干个彼此独立分立的第二多晶硅层，且第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同组成电容下极板，然后形成介电质层和电容上极板，形成电容结构，本发明通过第二层多晶硅的设置，在不增加电容大小的情况下扩展了上下极板的面积，从而增加了PIP电容的电容量，在增加电容极板的面积的同时未增加电容的整体面积，且可控性和可设计性良好，适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生成 pip 电容 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种生成PIP电容的工艺方法，其特征在于：包括下述步骤：步骤1：在衬底上沉积第一层多晶硅；步骤2：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第一层多晶硅，形成第一多晶硅层；步骤3：在第一多晶硅层表面沉积第二层多晶硅；步骤4：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第二层多晶硅，在第一多晶硅层上方形成若干个彼此分立的第二多晶硅层；所述第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层共同作为电容下极板区域；步骤5：在第一多晶硅层和若干个第二多晶硅层表面沉积氧化硅层和氮化硅层形成的电容介电质层；步骤6：在电容介电质层沉积第三层多晶硅；步骤7：通过光阻定义并用干法蚀刻所述第三层多晶硅，形成电容上极板区域。
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