[发明专利]金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构在审
| 申请号： | 201710730195.9 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546257A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 胡军;罗志云;王飞 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/772 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构，金属‑氧化物半导体场效应晶体管设置有外延层结构、栅极、衬底和沟道，沿衬底指向栅极的方向定义为延伸方向，外延层结构的掺杂浓度沿延伸方向先逐渐增大然后再逐渐减小。本发明能够使金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管器件的耐压能力得到提高，降低其导通电阻并增强可靠性，得以进一步提高金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管器件的沟道密度，减小单胞尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 沟道 半导体 场效应 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构，其特征在于，所述外延层结构的掺杂浓度先逐渐增大然后再逐渐减小。
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