[发明专利]一种3D NAND闪存的制作方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存的制作方法，本发明的制作方法包括以下步骤：提供经过具有外延生长的器件晶圆；提供不具有外延生长的连接晶圆；将器件晶圆与至少一个所述连接晶圆连接为一体。通过制备器件晶圆和连接晶圆两种不同类型的晶圆来实现晶圆之间的堆叠连接，这样就克服了目前制备沟道工艺对于O/N堆叠结构的层数限制；而由于只有器件晶圆需要进行外延生长以及连通硅外延生长和沟道侧壁堆叠结构中多晶硅层的多晶硅沉积步骤，连接晶圆则省去了外延生长和多晶硅沉积的工艺步骤，简化了工艺，提高了效率；通过本发明的工艺，就能够低成本、高效率的突破O/N堆叠结构的层数限制，从而提高3D NAND闪存的整体性能。

主权项

1.一种3D NAND闪存的制作方法，包括以下步骤：提供器件晶圆；所述器件晶圆包括第一衬底、第一沟道、硅外延层和第一沟道侧壁堆叠结构，所述第一沟道位于所述第一衬底上且与所述第一衬底接触，所述硅外延层位于所述第一沟道内且与所述第一衬底接触，所述第一沟道侧壁堆叠结构位于所述第一沟道内且位于所述硅外延层上；提供连接晶圆；所述连接晶圆包括第二衬底、第二沟道和第二沟道侧壁堆叠结构，所述第二沟道位于所述第二衬底上且与所述第二衬底接触，所述第二沟道侧壁堆叠结构位于所述第二沟道内且位于所述第二衬底上；将所述器件晶圆的连接面与至少一个所述连接晶圆连接为一体，使所述第一沟道侧壁堆叠结构与所述第二沟道侧壁堆叠结构接触。