[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710727100.8 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109427663B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域；在第一区域的基底上依次形成第一填充层和第一硬掩膜层；以第一硬掩膜层和第一填充层为掩膜，对第二区域的基底进行第一处理；第一处理之后，在第二区域的基底上依次形成第二填充层和至少位于第二填充层上的第二硬掩膜层；形成第二硬掩膜层之后，去除第一硬掩膜层和第一填充层，露出第一区域的基底；以第二硬掩膜层和第二填充层为掩膜，对第一区域的基底进行第二处理。通过第一硬掩膜层和第一填充层的去除工艺使第二硬掩膜层形成图形，从而避免采用图形化工艺，避免多次图形化工艺的对准问题，有利于提高图形化工艺的精度，有利于所形成半导体结构性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710727100.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种快速成膜节能环保机喷精装修砂浆的制备与应用
- 下一篇：鱼苗运输方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
