[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与源电极电性接触的源区、与漏电极电性接触的漏区及位于源区和漏区之间的沟道区，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述有源层背离所述基底的表面上形成至少覆盖所述沟道区的钝化层；形成所述钝化层的步骤包括：形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动。