[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。所述薄膜晶体管利用钝化层对有源层进行钝化，其中，形成所述钝化层的步骤包括形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动，对有源层具有空穴掺杂的效果，从而能够克服现有的钝化技术会导致薄膜晶体管的双极性的问题，提升产品的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件。

背景技术

近年来，薄膜晶体管以其优异的电学和机械性能受到越来越多的关注。底栅型薄膜晶体管的器件结构减少了制备的过程中经过的工艺步数，避免其受到更多的污染，是一种适合于大规模生产的器件结构。

由于底栅型薄膜晶体管的有源层的沟道区暴漏在空气中，容易受到空气中水和氧气的影响，会导致晶体管产生比较大的回滞，这抑制了其在显示领域的应用。现今的钝化方式包括：直接在有源层上用原子层沉积生长氧化物、用等离子体增强化学气相沉积法制备的氮化硅和氧化硅、有机材料旋涂钝化等，这些钝化方法会导致器件出现双极性等问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、电子器件，用以提供一种薄膜晶体管的钝化方法，用以解决现有的钝化方法会对导致器件出现双极性的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括与源电极电性接触的源区、与漏电极电性接触的漏区及位于源区和漏区之间的沟道区，所述制作方法还包括：

在所述有源层背离所述基底的表面上形成至少覆盖所述沟道区的钝化层；

形成所述钝化层的步骤包括：

形成绝缘的第一金属氧化物层，所述第一金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近价带的一侧移动。

如上所述的制作方法，其中，形成所述钝化层的步骤还包括：

形成绝缘的第二金属氧化物层，所述第二金属氧化物层能够使所述有源层的费米能级向禁带的靠近导带的一侧移动，在所述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的共同作用下，所述有源层的多数载流子为空穴。

如上所述的制作方法，其中，形成所述钝化层的步骤具体为：

在所述有源层的背离所述基底的表面上形成第一金属氧化物层；

在所述第一金属氧化物层的背离所述有源层的表面上形成第二金属氧化物层。

如上所述的制作方法，其中，所述第一金属氧化物层为氧化钇层，所述第二金属氧化物层为氧化铝层。

如上所述的制作方法，其中，形成氧化钇层的步骤具体为：

在所述基底上形成金属钇薄膜；

对形成有所述金属钇薄膜的基底进行氧化工艺，形成氧化钇薄膜；

对所述氧化钇薄膜进行构图工艺，形成所述氧化钇层。

如上所述的制作方法，其中，进行加热，或，在紫外光的照射下，利用臭氧对所述金属钇薄膜进行氧化。

如上所述的制作方法，其中，具体利用电子束镀膜工艺在所述基底上形成金属钇薄膜。

如上所述的制作方法，其中，具体利用原子层沉积在所述氧化钇层的背离所述有源层的表面上形成氧化铝薄膜，并对所述氧化铝薄膜进行构图工艺，形成所述氧化铝层。

如上所述的制作方法，其中，所述有源层由网络碳纳米管制得。