[发明专利]一种电子轰击型雪崩二极管的制备

摘要

本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si;p型Si外延层；P型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；Si02氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于8102氧化层上，加厚SiO2氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。

主权项

1.一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：在n型Si衬底（6)上依次为p型Si外延层（4)、p型Si重掺杂层（1)、正面电极（2)，Si02氧化层（5)位于p型Si外延层（4)和p型Si重掺杂层（1)的表面和侧面，玻璃钝化层（3)位于Si02氧化层（5)之上，背面电极（7)位于n型Si衬底（6)的下方。