[发明专利]一种电子轰击型雪崩二极管的制备在审

申请号：	201710688111.X	申请日：	2017-08-12
公开（公告）号：	CN109390431A	公开（公告）日：	2019-02-26
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	湖北汇欣智能化系统工程有限公司
主分类号：	H01L31/107	分类号：	H01L31/107;H01L31/18
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	43319***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	雪崩二极管衬底电子轰击重掺杂层电极暗电流外延层氧化层制备玻璃钝化层加厚背面电极电子实现工作电压台面台阶填充器件雪崩放大正面电极制备工艺钝化层钝化结区雪崩探测侧面
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【权利要求书】：

1.一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：在n型Si衬底（6)上依次为p型Si外延层（4)、p型Si重掺杂层（1)、正面电极（2)，Si02氧化层（5)位于p型Si外延层（4)和p型Si重掺杂层（1)的表面和侧面，玻璃钝化层（3)位于Si02氧化层（5)之上，背面电极（7)位于n型Si衬底（6)的下方。

2.根据权利要求1所述的一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其特征在于：

所述的n型Si衬底（6)电子浓度为1X1018cm3至1X1019cm3,厚度为200ym;

所述的P型Si外延层（4)掺杂浓度为1X1014cm3至1X1015cm3,厚度为10~30ym;

所述的P型Si重掺杂层（1)掺杂浓度为5X10lscm3至5X1019cm3,厚度为0•5〜1.0um;

所述的正面电极（2)为Ti/Pt/Au电极，形状为环形电极，制作在p型Si重掺杂层（1)上；

所述的Si02氧化层（5)厚度为200~500nm;

所述的玻璃钝化层（3)厚度为10~30ym。

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