[发明专利]三维存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器元件，包括：基材、多层叠层结构(multi‑layers stack)、至少一个存储器结构以及刻蚀阻挡结构(etching stop structure)。基材具有一个凹槽(trench)。多层叠层结构包括一个第一延伸部和一个第二延伸部。其中，第一延伸部与凹槽的底面夹一个非平角(non‑straight angle)，且第一延伸部和第二延伸部都包括交错叠层(interlaced)于凹槽之中的多个导体层和多个绝缘层。存储器结构形成于第一延伸部之中。刻蚀阻挡结构至少部分延伸进入第二延伸部中，且具有与存储器结构相同的材质。

主权项

1.一种三维存储器元件，包括：一基材，具有一凹槽；一多层叠层结构，包括一第一延伸部和一第二延伸部；该第二延伸部与该凹槽之一底面夹一第一非平角；且该第一延伸部和该第二延伸部都包括多个导体层和多个绝缘层交错叠层于该凹槽之中；至少一存储器结构，形成于该第一延伸部之中；以及一刻蚀阻挡结构，至少部分延伸进入该第二延伸部中，且具有与该至少一存储器结构相同的一材质。