[发明专利]AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710671295.9 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107481982B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 汪连山;吉泽生;赵桂娟;孟钰淋;李方政;杨少延;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/335;H01L29/66;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1‑xN沟道层、AlyIn1‑yN空间电荷层、以及AlzGa1‑zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | aln 高效 散热 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1‑xN沟道层、AlyIn1‑yN空间电荷层、以及AlzGa1‑zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间采用DVS‑BCB作为键合剂。
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