[发明专利]在半导体条中形成掺杂区有效
| 申请号： | 201710661042.3 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107887264B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄士文;林嘉慧;蔡释严;郑凯鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 掺杂 | ||
【主权项】：
一种在半导体条中形成掺杂区的方法，包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，所述半导体衬底的位于所述沟槽之间的部分是半导体条；在所述半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜，其中，所述介电剂量膜掺杂有n型的掺杂剂或p型的掺杂剂；用介电材料填充所述沟槽的剩余部分；对所述介电材料实施平坦化，其中，所述介电剂量膜和所述介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区；以及实施热处理以使所述介电剂量膜中的所述掺杂剂扩散到所述半导体条内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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