[发明专利]激光芯片及其制备方法、光模块在审

专利信息
申请号: 201710638841.9 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN107275925A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 方瑞禹;徐晓颖 申请(专利权)人: 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/34
代理公司: 青岛联智专利商标事务所有限公司37101 代理人: 邵新华
地址: 266100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明实施例提供了一种激光芯片,包括基板,设于基板上的第一有源区和第二有源区;设于第一有源区上的第一光栅,第一有源区发出的光在第一光栅处发生布拉格反射;设于第二有源区上的第二光栅,第二有源区发出的光在第二光栅处发生布拉格反射;第一光栅与第二光栅不平行设置,解理后具有不同的端面相位,使得第一发光单元与第二发光单元具有不同的单模抑制比SMSR以及良率,激光芯片可以筛选性能更优越的发光单元。
搜索关键词: 激光 芯片 及其 制备 方法 模块
【主权项】:
一种激光芯片,其特征在于,包括:基板;设于所述基板上的第一有源区和第二有源区;设于所述第一有源区上的第一光栅,所述第一有源区发出的光在所述第一光栅处发生布拉格反射;设于所述第二有源区上的第二光栅,所述第二有源区发出的光在所述第二光栅处发生布拉格反射;所述第一光栅与所述第二光栅不平行设置,解理后具有不同的端面相位。
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  • 渊田步;中村直干 - 三菱电机株式会社
  • 2015-11-27 - 2019-02-19 - H01S5/12
  • 本发明可抑制因折射率耦合型衍射光栅或者周期构造层的深度发生波动而引起的光耦合系数的波动。半导体光元件(100)具有半导体衬底(1)、衍射光栅(2)、衍射光栅掩埋层(3)、有源层(4)及包层(5)。衍射光栅(2)包含有在半导体衬底(1)上沿激光出射方向(Z方向)排列的多个光栅片(2a)。光栅片(2a)分别具有下侧部分(9)及设置在下侧部分(9)上的上侧部分(6)。光栅片(2a)各自的下侧部分(9)相连结,在衍射光栅(2)的下部形成1个层。上侧部分(6)具有第1折射率n1,下侧部分(9)具有第2折射率n2(其中n21)。衍射光栅掩埋层(3)的折射率n0处于n1与n2中间。即,n201。
  • 内含碲化银量子点的分布反馈激光器及其制备方法-201811193785.3
  • 廖晨 - 南京邮电大学
  • 2018-10-15 - 2019-01-29 - H01S5/12
  • 本发明公开了一种内含碲化银量子点的分布反馈激光器及其制备方法,该分布反馈激光器包括依次向上设置的石英基板、内含碲化银量子点的二氧化硅周期光栅。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的碲化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点,以实现低阈值的近红外光增益。二氧化硅的光热稳定性远高于有机聚合物。用内含碲化银量子点的二氧化硅薄膜制备周期光栅,最终能够获得低阈值、高稳定性和环境友好的分布反馈近红外量子点激光器。
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