[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710633182.X | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107689391B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林欣桦;高逸群 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极、所述漏极与所述通道层之间设置有欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制备方法。本发明的薄膜晶体管基板的欧姆接触层和通道层均包括包含锌原子的金属氧化物，能够减小通道层与源、漏极之间的电阻，使得通道层与源、漏极之间能够具有良好的电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极与所述通道层之间以及所述漏极与所述通道层之间均设置有欧姆接触层，其特征在于：所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。
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