[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极与所述通道层之间以及所述漏极与所述通道层之间均设置有欧姆接触层，其特征在于：

所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；

所述欧姆接触层包括氧化铟锌，所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述源极和漏极中至少一者延伸与所述通道层直接接触。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述源极和所述漏极之间形成有一沟槽以使所述源极和所述漏极得以间隔设置，该沟槽延伸贯穿所述欧姆接触层；沿所述沟槽的开口端至所述沟槽的槽底方向，所述沟槽逐渐变细。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述欧姆接触层与所述源极之间和所述欧姆接触层与所述漏极之间还包括一阻挡层，所述阻挡层用于防止所述源极、漏极的材料向所述欧姆接触层扩散，所述沟槽贯穿所述阻挡层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道层还包括铟原子，所述通道层的铟原子的个数含量与锌原子的个数含量比为100％～200％。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道层包括铟锌镓氧化物。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述欧姆接触层的铟原子的个数含量与锌原子的个数含量比为45％～70％。

8.一种薄膜晶体管基板的制备方法：

提供一基板；

在所述基板上依次形成通道层和欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层均包括含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层包括氧化铟锌，所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％；

在欧姆接触层上形成导电层；

部分蚀刻导电层与欧姆接触层形成贯穿所述导电层与所述欧姆接触层的沟槽，在欧姆接触层上形成间隔设置的源极和漏极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于：所述欧姆接触层和所述通道层均含有铟原子，所述欧姆接触层的铟原子的个数含量与锌原子的个数含量比为45％～70％；所述通道层的铟原子的个数含量与锌原子的个数含量比为100％～200％。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于：在形成欧姆接触层之后形成第二导电层之前，形成一阻挡层；并在蚀刻第二导电层与欧姆接触层时一并蚀刻所述阻挡层形成沟槽。