[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极、所述漏极与所述通道层之间设置有欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制备方法。本发明的薄膜晶体管基板的欧姆接触层和通道层均包括包含锌原子的金属氧化物，能够减小通道层与源、漏极之间的电阻，使得通道层与源、漏极之间能够具有良好的电性连接。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板以及薄膜晶体管基板的制备方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为开关组件已被广泛应用于传感器、显示或触控等领域。薄膜晶体管基板通常具有基底及形成于该基底上的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管一般包括通道层和形成在通道层上的互相分离源极、漏极，而减少通道层与源极、漏极之间的电阻，使得通道层与源极、漏极之间能够具有良好的电性连接，增进显示品质，为目前业界亟需解决的问题之一。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种性能较好的薄膜晶体管基板。

一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极、所述漏极与所述通道层之间设置有欧姆接触层，

所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；

所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。

一种薄膜晶体管基板的制备方法：

提供一基板；

在所述基板上依次形成通道层和欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层均包括含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％；

在欧姆接触层上形成导电层；

部分蚀刻导电层与欧姆接触层形成贯穿所述导电层与所述欧姆接触层的沟槽，在欧姆接触层上形成间隔设置的源极和漏极。

相较于现有技术，本发明的薄膜晶体管基板的欧姆接触层和通道层均包括包含锌原子的金属氧化物，能够减小通道层与源、漏极之间的电阻，使得通道层与源、漏极之间能够具有良好的电性连接，增进显示品质。

附图说明

图1是本发明较佳实施例的薄膜晶体管基板的电路结构示意图。

图2是本发明较佳实施例的薄膜晶体管的局部平面结构示意图。

图3是图2沿III-III剖面线剖开的剖面结构示意图(第一实施例薄膜晶体管的剖面)。

图4是图3的IV部分通过电子显微镜获得的微观放大图。

图5是图3的V部分通过电子显微镜获得的微观放大图。

图6是图2沿VI-VI剖面线剖开的剖面结构示意图。

图7是本发明第二实施例的薄膜晶体管的剖面结构示意图。

图8～图11是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管基板的制备方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式