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[发明专利]气体感测器及其制备方法-CN201911357815.4有效
发明人：张炜炽;林欣桦;施博理 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种气体感测器，其包括：基板；底栅极，其位于在基板的一表面；绝缘层，其位于在所述基板具有所述底栅极的表面上且完全覆盖所述底栅极；半导体层，其位于所述绝缘层远离所述基板的一侧；相互间隔的源极和漏极，均与半导体层连接；钝化层，其覆盖所述半导体层；以及顶栅极，其位于所述钝化层远离所述基板的表面且与所述源极和漏极均间隔设置，所述顶栅极的材质为导电的气体敏感材料。本发明还提供气体感测器的制备方法。所述气体感测器利用吸附气体改变顶栅极的电势，从而影响所述漏极的电流，进而可以根据漏极的电流变化侦测气体，所述气体感测器具有较快的感测速度且感测更加精准。
气体感测器及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201680078714.1有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在基底(101)上并定义复合侧面蚀刻轮廓的多层结构。所述多层结构包括设置在基底(101)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的下子层(105‑1)，所述下子层(105‑1)中的铟和锌含量基本上定义了第一铟与锌含量比；设置在所述下子层上且包含金属材料的中间子层(105‑2)；设置在所述中间子层(105‑2)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的上子层(105‑3)，所述上子层(105‑3)中铟对锌的含量基本上定义小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；以及形成在侧面蚀刻表面上的侧面副产物层，其基本上包含所述中间子层(105‑2)中的金属材料的金属氧化物。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]显示面板-CN201810136702.0有效
发明人：张炜炽;赖宠文;林欣桦;李国胜;江冠贤 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种显示面板，其定义有多个红色子像素、多个绿色子像素、多个蓝色子像素和多个白色子像素，所述显示面板定义有多个像素单元，每一个像素单元其包括相邻的一个红色子像素和一个绿色子像素、以及与该红色子像素或该绿色子像素相邻的1/2个蓝色子像素和1/2个白色子像素。本发明对不同颜色的子像素的排布进行调整，使每一个像素单元均中具有蓝色子像素和白色子像素，且相邻像素单元中蓝色子像素和白色子像素的对称性较好，能够有效避免伪影的产生。
显示面板

[发明专利]制备导电结构和薄膜晶体管阵列面板的方法-CN201680078691.4有效
发明人： 林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在基底上提供导电结构的方法，其包括：在基底上设置下子层，所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中底部子层中的铟和锌含量基本上定义第一铟与锌含量比；在所述下子层的暴露表面上进行第一次氢处理以在其中引入氢含量；在所述下子层上设置中间子层，所述中间子层包含金属材料；在所述中间子层上设置上子层，所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义小于所述第一铟与锌的含量比的第二铟与锌含量比；以及图案化所述多层导电结构以形成复合侧面蚀刻轮廓。
制备导电结构薄膜晶体管阵列面板方法

[发明专利]传感器和应用该传感器的检测装置-CN201910957992.X在审
发明人： 林欣桦;张炜炽;施博理;杨沼俊;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：一种传感器，包括：超声波元件，其包括相对间隔且相互电性绝缘设置的第一电极、第二电极、设置在所述第二电极上的绝缘层，以及设置在所述第一电极和所述绝缘层之间的振膜,所述绝缘层和所述振膜围合形成一密封的空腔，且所述第一电极承载在所述振膜上，当所述第一电极和所述第二电极之间形成电势差，所述振膜振动以形成预定频率范围的超声波；以及结合体，设置于所述第一电极远离所述第二电极的表面，用于与待测物中的目标检测物结合，当所述结合体与目标检测物结合时改变所述振膜的承载重量，从而使所述超声波的频率范围发生变化。本发明还提供应用上述传感器的检测装置。所述传感器的结构简单，能够快速判断是否有目标检测物与结合体结合。
传感器应用检测装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN201610814409.6有效
发明人： 林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及半导体装置-CN201610812432.1有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在通道层上形成第一子层，所述第一子层包含含铟、锌的金属氧化物，形成第二子层覆盖于所述第一子层上，所述第二子层包含金属材料；形成第三子层覆盖于所述第二子层上，所述第三子层包含含金属铟、锌的氧化物，第一子层、第二子层和第三子层共同构成了第二导电层，蚀刻该第二导电层形成一凹槽贯穿第一子层、第二子层及第三子层，以使得第二导电层形成间隔设置的源极与漏极；形成钝化层覆盖在所述源极、所述漏极以及所述通道层之上，在钝化层的形成过程中所述凹槽的侧壁上形成一侧副层夹设于所述第二导电层与钝化层之间。本发明还提供一种半导体装置。
薄膜晶体管阵列制造方法半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构-CN201680078686.3有效
发明人：施博理;高逸群;林欣桦;李志隆;张炜炽;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：用于薄膜晶体管(TFT)阵列面板的导电层包括定义TFT器件的源极和漏极且包括第一子层、第二子层、第三子层、和至少一个附加子层的多层部分。所述第三和所述第一子层包含铟和锌的氧化物材料。所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。所述附加子层中的铟与锌的含量比被设定在所述第一与所述第三子层中的铟与锌的含量比之间。所述第一与所述第三子层之间的铟与锌含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓，其中在所述第三子层中与其相关的间隙宽度比在所述第一子层中的间隙宽度宽。
薄膜晶体管阵列面板导电结构

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构-CN201680078671.7有效
发明人：高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列面板包括：包括栅极的第一导电层(102)；设置在所述栅极上方的沟道层(104)和设置在沟道层(104)上的第二导电层(105)。所述第二导电层(105)包括定义源极(105a)和漏极(105b)的多层部分，其包括依次相继设置的第一子层(105‑1)、第二子层(105‑2)和第三子层(105‑3)。所述第三和所述第一子层(105‑3、105‑1)均包含铟和锌氧化物材料。所述第一子层(105‑1)中的铟与锌的含量比大于所述第三子层(105‑3)中的铟与锌的含量比。所述第一和所述第三子层(105‑1、105‑3)之间的含量比例差异影响形成在所述第二导电层(105)中所述源极和所述漏极(105a、105b)之间的间隙(106)相关的侧面蚀刻轮廓，其中第三子层(105‑3)中的相关间隙(106)宽度比第一子层(105‑1)中的相关间隙(106)宽度宽。
薄膜晶体管阵列面板导电结构

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法-CN201710633182.X有效
发明人： 林欣桦;高逸群 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极、所述漏极与所述通道层之间设置有欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制备方法。本发明的薄膜晶体管基板的欧姆接触层和通道层均包括包含锌原子的金属氧化物，能够减小通道层与源、漏极之间的电阻，使得通道层与源、漏极之间能够具有良好的电性连接。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体基板、阵列基板、逆变器电路及开关电路-CN201810669271.4在审
发明人：高逸群;林欣桦 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明一种半导体基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；该第一薄膜晶体管包括该第一源极以及第一漏极，该第二薄膜晶体管包括第二源极以及第二漏极。该第一源极或第一漏极中的一者与该第二源极或第二漏极中的一者电性连接。本发明还提供应用上述半导体基板的阵列基板、逆变器电路及开关电路，本发明的半导体基板包括金属氧化物薄膜晶体管，且金属氧化物薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管共用源/漏极，可以减小使用该半导体基板的电子元件体积和漏电流。
薄膜晶体管漏极半导体基板金属氧化物薄膜晶体管源极低温多晶硅薄膜晶体管基板逆变器电路电性连接开关电路阵列基板共用源漏电流减小应用

[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法-CN201610368688.8有效
发明人： 林欣桦;高逸群 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-05-28 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的缓冲层、栅极、栅极绝缘层，该第一薄膜晶体管还包括形成于栅极绝缘层上且彼此间隔的源极与漏极，以及对应该栅极形成于栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层分别部分覆盖所述源极与漏极。本发明还提供应用该阵列基板的显示面板、显示装置及该阵列基板的制备方法。本发明阵列基板之金属氧化物半导体层在源极、漏极形成之后沉积形成，可避免制备过程中对该金属氧化物半导体层的损害。
阵列显示面板显示装置制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法-CN201510264905.4有效
发明人：方国龙;高逸群;林欣桦;施博理;李志隆 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成栅极及栅极绝缘层，依序在栅极绝缘层上覆盖半导体层、阻挡层及光阻层；图案化该光阻层以形成具有呈阶梯结构的第一、二部分的图案化光阻层，第一部分的高度大于第二部分的高度且第二部分至少包括位于第一部分的两相对侧的部分；去除未被图案化光阻层覆盖的半导体层及阻挡层，以形成通道层；去除第二部分，以暴露出部分阻挡层；去除第二部分对应的阻挡层，以形成蚀刻阻挡层；去除剩余的图案化光阻层并形成分别覆盖于蚀刻阻挡层两相对侧且分别与通道层接触的源/漏极。通过形成高度不同的图案化光阻层以将蚀刻阻挡层与通道层结合至一道光罩制程中，可节省一道光罩次数。
薄膜晶体管制造方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN201510279452.2有效
发明人：施博理;高逸群;李志隆;方国龙;林欣桦 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极及栅极绝缘层；于栅极绝缘层上覆盖导电层；于导电层上形成第一光阻层，并以一光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第一光阻层进行正背面同时曝光以形成第一图案化光阻层；去除未被第一图案化光阻层覆盖的导电层以形成导电通道层；于导电通道层上依次形成半导体层及第二光阻层，并以上述光罩及栅极分别作为正背面曝光掩膜对第二光阻层进行正背面同时曝光以形成第二图案化光阻层；去除未被第二图案化光阻层覆盖的半导体层以形成半导体通道层；形成源极及漏极。分别进行曝光制程以形成半导体通道层及导电通道层时，均采用同一光罩，因而无需针对不同的曝光制程制造不同的光罩，利于降低制造成本。
薄膜晶体管制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201610812483.4有效
发明人：施博理;高逸群;林欣桦;李志隆;张炜炽;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述第二导电层形成为间隔设置的源极和漏极，多层结构的第二导电层包含：第一子层；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；至少一个附加子层，该至少一个附加子层位于所述第一子层和所述第二子层之间；所述第一子层、第三子层和附加子层均包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，所述凹槽贯穿第一子层、第二子层、第三子层和附加子层。
薄膜晶体管阵列

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