[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710630310.5 申请日: 2017-07-28
公开(公告)号: CN107316874B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 邢磊;龚冰;刘学敏;丁众好;罗茜 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括:衬底基板;有源层,其设置于衬底基板上;栅极绝缘层,其设置于有源层和裸露的衬底基板上;栅电极,其设置于栅极绝缘层上;层间绝缘层,其设置于栅电极和裸露的栅极绝缘层上;源电极和漏电极,设置于层间绝缘层上,在衬底基板和有源层之间还设置有第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层。本发明可以解决过刻蚀导致的源漏电极与有源层接触不良的问题。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括:衬底基板;有源层,其设置于所述衬底基板上,包括第一导体化区域和第二导体化区域;栅极绝缘层,其设置于所述有源层和裸露的衬底基板上;栅电极,其设置于所述栅极绝缘层上;层间绝缘层,其设置于所述栅电极和裸露的栅极绝缘层上;源电极和漏电极,设置于所述层间绝缘层上,其中,在所述衬底基板和所述有源层之间还设置有第一刻蚀终止层和第二刻蚀终止层,所述第一导体化区域覆盖所述第一刻蚀终止层,所述第二导体化区域覆盖所述第二刻蚀终止层,所述源电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔连接所述第一导体化区域,所述漏电极通过贯穿所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔连接所述第二导体化区域,所述第一刻蚀终止层用于防止刻蚀所述层间绝缘层和所述栅绝缘层形成所述第一过孔时刻蚀至所述衬底基板,所述第二刻蚀层用于防止刻蚀所述层间绝缘层和所述栅绝缘层形成所述第二过孔时刻蚀至所述衬底基板。
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