[发明专利]内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法有效
| 申请号： | 201710628986.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN109308927B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 廖绍憬;王炳琨;林铭哲;魏敏芝;何家骅;吴健民 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。另外，一种包括电阻式内存组件的内存储存装置也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 内存 储存 装置 以及 电阻 组件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，包括：开始一形成程序以对一电阻式内存组件施加一形成电压，使所述电阻式内存组件从一高阻态转变为一低阻态，并且测量所述电阻式内存组件的一第一电流；对所述电阻式内存组件进行一加热步骤，并且测量所述电阻式内存组件的一第二电流；以及比较所述第一电流以及所述第二电流，并且依据所述第一电流以及所述第二电流的一比较结果来决定对所述电阻式内存组件施加一第一电压信号或一第二电压信号，或者结束所述形成程序。
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