[发明专利]内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法

权利要求书

1.一种电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，包括：

开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使所述电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量所述电阻式内存组件的第一电流；

对所述电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量所述电阻式内存组件的第二电流；以及

比较所述第一电流以及所述第二电流，并且依据所述第一电流以及所述第二电流的比较结果来决定对所述电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束所述形成程序，

其中所述第二电压信号的能量大于所述第一电压信号的能量。

2.根据权利要求1所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中比较所述第一电流以及所述第二电流的步骤包括：

计算所述第二电流与所述第一电流的比值；以及

判断所述第二电流与所述第一电流的所述比值是大于、小于或等于预定值，以取得所述比较结果；

其中依据所述比较结果来决定对所述电阻式内存组件施加所述第一电压信号或所述第二电压信号，或者结束所述形成程序的步骤包括：

若所述第二电流与所述第一电流的所述比值小于所述预定值，对所述电阻式内存组件施加所述第一电压信号；

若所述第二电流与所述第一电流的所述比值大于所述预定值，对所述电阻式内存组件施加所述第二电压信号；以及

若所述第二电流与所述第一电流的所述比值等于所述预定值，结束所述形成程序。

3.根据权利要求2所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，还包括：

在对所述电阻式内存组件施加所述第一电压信号的步骤之后，测量所述电阻式内存组件的第三电流；

计算所述第三电流与所述第一电流的比值；及

比较所述第三电流与所述第一电流的所述比值与所述预定值；

其中，若所述第三电流与所述第一电流的所述比值小于所述预定值，更对所述电阻式内存组件施加所述第一电压信号；

若所述第三电流与所述第一电流的所述比值大于所述预定值，更对所述电阻式内存组件施加所述第二电压信号；

若所述第三电流与所述第一电流的所述比值等于所述预定值，结束所述形成程序。

4.根据权利要求2所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，还包括：

在对所述电阻式内存组件施加所述第二电压信号的步骤之后，测量所述电阻式内存组件的第四电流；以及

计算所述第四电流与所述第一电流的比值；

比较所述第四电流与所述第一电流的所述比值与所述预定值；

其中，若所述第四电流与所述第一电流的所述比值小于所述预定值，更对所述电阻式内存组件施加所述第一电压信号；

若所述第四电流与所述第一电流的所述比值大于所述预定值，更对所述电阻式内存组件施加所述第二电压信号；以及

若所述第四电流与所述第一电流的所述比值等于所述预定值，结束所述形成程序。

5.根据权利要求1所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中所述第一电压信号的相位相反于所述形成电压的相位，且所述第二电压信号的相位相同于所述形成电压的相位。

6.根据权利要求5所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中所述第二电压信号的最大脉冲高度大于所述第一电压信号的最大脉冲高度。

7.根据权利要求6所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中所述第一电压信号的最大脉冲宽度大于所述第二电压信号的最大脉冲宽度。

8.根据权利要求5所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中所述第一电压信号包括多个脉冲信号，所述多个脉冲信号的脉冲宽度逐渐增加，且脉冲高度相等。

9.根据权利要求5所述的电阻式内存组件的形成方法，其特征在于，其中所述第二电压信号包括多个脉冲信号，所述多个脉冲信号的脉冲宽度相等，且脉冲高度逐渐增加。