[发明专利]内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法

说明书

本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。另外，一种包括电阻式内存组件的内存储存装置也被提出。

技术领域

本发明涉及一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法。

背景技术

近年来电阻式内存(诸如电阻式随机存取内存(Resistive Random AccessMemory，RRAM))的发展极为快速，是目前最受瞩目的未来内存的结构。由于电阻式内存具备低功耗、高速运作、高密度以及兼容于互补式金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor，CMOS)制程技术的潜在优势，因此非常适合作为下一世代的非挥发性内存组件。对可靠度测试以及商业化而言，电阻式内存组件的高温数据保持能力(HighTemperature Data Retention，HTDR)具有决定性的影响。在现有技术中，为了改善高温数据保持能力，或有利用调整制程、算法修正或电性参数调整来达到此一目的，但仍有相当大的努力空间。

发明内容

本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，其灯丝强健，且高温数据保持能力良好。

本发明的电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。

在本发明的一实施例中，上述比较第一电流以及第二电流的步骤包括：计算第二电流与第一电流的比值；以及判断第二电流与第一电流的比值是大于、小于或等于预定值，以取得比较结果。依据比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序的步骤包括：若第二电流与第一电流的比值小于预定值，对电阻式内存组件施加第一电压信号；若第二电流与第一电流的比值大于预定值，对电阻式内存组件施加第二电压信号：及若第二电流与第一电流的比值等于预定值，结束形成程序。

在本发明的一实施例中，上述电阻式内存组件的形成方法还包括：在对电阻式内存组件施加第一电压信号的步骤之后，测量电阻式内存组件的第三电流；计算第三电流与第一电流的比值；及比较第三电流与第一电流的比值与预定值；其中若第三电流与第一电流的比值小于预定值，更对电阻式内存组件施加第一电压信号；若第三电流与第一电流的比值大于预定值，更对电阻式内存组件施加第二电压信号；若第三电流与第一电流的比值等于预定值，结束形成程序。

在本发明的一实施例中，上述电阻式内存组件的形成方法还包括：在对电阻式内存组件施加第二电压信号的步骤之后，测量电阻式内存组件的第四电流；计算第四电流与第一电流的比值；及比较第四电流与第一电流的比值与预定值；其中若第四电流与第一电流的比值小于预定值，更对电阻式内存组件施加第一电压信号；若第四电流与第一电流的比值大于预定值，更对电阻式内存组件施加第二电压信号；以及若第四电流与第一电流的比值等于预定值，结束形成程序。

在本发明的一实施例中，上述第一电压信号的相位相反于形成电压的相位，且第二电压信号的相位相同于形成电压的相位。

在本发明的一实施例中，上述第二电压信号的最大脉冲高度大于第一电压信号的最大脉冲高度。

在本发明的一实施例中，上述第一电压信号的最大脉冲宽度大于第二电压信号的最大脉冲宽度。

在本发明的一实施例中，上述第一电压信号包括多个脉冲信号。脉冲信号的脉冲宽度逐渐增加，且脉冲高度相等。