[发明专利]双面电容器及其制造方法

摘要

本发明提供一种双面电容器及其制造方法，所述双面电容器包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括双U型的第一导电层及第二导电层、电容介质以及第三导电层。本发明以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双U型下电极的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值。

主权项

1.一种双面电容器的制造方法，其特征在于，包括：1)提供一半导体衬底，所述衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘；2)于所述衬底上形成交替层叠的介质层及支撑层；3)于所述介质层上形成第一掩膜，基于所述第一掩膜于所述介质层中刻蚀出电容孔，其深度直至所述焊盘；4)于所述电容孔内形成第一导电层，并于所述第一导电层表面形成牺牲间隔层；5)将所述牺牲间隔层回蚀至所述电容孔以内，以显露所述第一导电层的上缘，并于所述牺牲间隔层表面形成第二导电层，连接于所述第一导电层的上缘，所述第二导电层与所述第一导电层形成闭合结构；6)形成多个开口，所述开口暴露部分所述介质层及部分所述牺牲间隔层，藉由所述开口进行湿法腐蚀去除所述介质层及所述牺牲间隔层；及7)形成覆盖所述第一导电层及第二导电层两者内表面及外表面的电容介质，并形成覆盖所述电容介质外表面的第三导电层，由所述电容孔位置制备出双面电容器。