[发明专利]薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201710600827.X | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107393830A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;宋尊庆;许晓伟;李栋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/22;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，属于显示技术领域。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括在基底上通过构图工艺形成有源层的图形；对有源层的沟道区进行离子掺杂；形成栅极绝缘层；通过构图工艺，形成包括栅极的图形；对有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂；形成层间绝缘层；对形成层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。由于在本发明的薄膜晶体管的制备方法中，对有源层中所掺杂的离子的结晶和活化是一次工艺完成，不仅可以降低工艺成本，提高工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形；对所述有源层的沟道区进行离子掺杂；形成栅极绝缘层；通过构图工艺，形成包括栅极的图形；对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂；形成层间绝缘层；对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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