[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形；

对所述有源层的沟道区进行离子掺杂；

形成栅极绝缘层；

通过构图工艺，形成包括栅极的图形；

对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂；

形成层间绝缘层；

对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化的步骤，具体包括：

对所述基底背离所述有源层的一侧进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述对所述基底背离所述有源层的一侧进行激光退火的步骤之前还包括：

在所述层间绝缘层上形成表面保护层的步骤。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化的步骤，具体包括：

在所述层间绝缘层上形成光刻胶层，并通过掩模板对所述有源层进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述激光退火的扫描能量为350-450mJ/cm²。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述有源层的沟道区进行离子掺杂的掺杂电压为12-15KeV；剂量为1E12-2E12n/cm²；气体源为BF₃；对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂的掺杂电压为25-30KeV；剂量为4E14-5E14n/cm²；气体源为BF₃。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料在经过激光退火结晶后形成P-Si。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形的步骤，具体包括：

在基底上形成半导体材料层；

对完成上述步骤的基底进行去氢处理；

通过构图工艺形成有源层的图形。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述去氢处理的温度为400-450℃；时间为60-90min。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形的步骤之前，还包括：

在所述基底上形成缓冲层的步骤。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子结晶并活化的步骤之后，还包括：

在所述栅极绝缘层和层间绝缘层中刻蚀过孔，所述过孔的位置与所述有源层的源极接触区、漏极接触区位置对应；

通过构图工艺形成包括源极和漏极的步骤；其中，所述源极通过与所述源极接触区对应的过孔与所述有源层连接，所述漏极通过与所述漏极接触区对应的过孔与所述有源层连接。