[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率的平板显示装置的需求越来越普遍，也越来越得到显示面板厂家的重视。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是平板显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，例如：非晶硅和多晶硅都是目前常用的薄膜晶体管制备材料。然而，非晶硅本身存在很多无法避免的缺点，比如：低迁移率、低稳定性等；与此相比，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)具有较高的迁移率及稳定性，其迁移率可达非晶硅的几十甚至几百倍。因此，采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管的技术得到了迅速发展，由LTPS衍生的新一代液晶显示装置(Liquid Crystal Display：简称LCD)或有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode:简称OLED)成为重要的显示技术，尤其是OLED显示装置，由于OLED具有超薄、低功耗、同时自身发光等特点，备受用户的青睐。

虽然低温多晶硅薄膜晶体管具有上述优点，但是，在低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的制备工艺中，通常在对a-Si沉积完成后进行去氢处理，之后便进行激光退火(ELA)过程，此时a-Si结晶后会在产生较大的晶界凸起，因此将会影响薄膜晶体管的性能。而且，在对薄膜晶体管的有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区进行离子掺杂之后还需要活化的过程以激活所掺杂的离子，此时不仅增加了工艺成本，而且工艺效率低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种工艺简单、成本较低的薄膜晶体管的制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形；

对所述有源层的沟道区进行离子掺杂；

形成栅极绝缘层；

通过构图工艺，形成包括栅极的图形；

对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂；

形成层间绝缘层；

对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

优选的是，所述对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化的步骤，具体包括：

对所述基底背离所述有源层的一侧进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

进一步优选的是，在所述对所述基底背离所述有源层的一侧进行激光退火的步骤之前还包括：

在所述层间绝缘层上形成表面保护层的步骤。

优选的是，所述对形成所述层间绝缘层的基底，进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化的步骤，具体包括：

在所述层间绝缘层上形成光刻胶层，并通过掩模板对所述有源层进行激光退火，以使所述有源层的材料结晶的同时，使得所述有源层的沟道区、源极接触区、漏极接触区中所掺杂的离子活化。

优选的是，所述激光退火的扫描能量为350-450mJ/cm²。

优选的是，对所述有源层的沟道区进行离子掺杂的掺杂电压为12-15KeV；剂量为1E12-2E12n/cm²；气体源为BF₃；对所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行离子掺杂的掺杂电压为25-30KeV；剂量为4E14-5E14n/cm²；气体源为BF₃。

优选的是，所述有源层的材料在经过激光退火结晶后形成P-Si。

优选的是，所述在基底上，通过构图工艺形成有源层的图形的步骤，具体包括：

在基底上形成半导体材料层；

对完成上述步骤的基底进行去氢处理；

通过构图工艺形成有源层的图形。

优选的是，所述去氢处理的温度为400-450℃；时间为60-90min。